فیلمهای آموزشی مدارات و وسیله های سرعت بالا

دسته نرم افزار آموزشی زیردسته فنی مهندسی

فیلمهای آموزشی مدارات و وسیله های سرعت بالا به زبان انگلیسی
فیلمهای آموزشی دروس دانشگاهی
این فیلمها بصورت منوگذاری شده در اختیار شما قرار میگیرد
تعداد جلسات و مدت زمان هر جلسه در جلوی آن نوشته شده است
فیلم ها به زبان انگلیسی است و با کیفیت خوب در ارائه می شود
امید است مورد استفاده شما هموطنان عزیز قرار گیرد

1 - Introduction to Basic concepts
2 - Requirements for high speed circuits, devices and materials
3 - Classification and properties of semiconductor devices
4 - Ternary compound semiconductors and their applications
5 - Ternary compound semiconductors and their applications(contd.)
6 - Crystal structure in GaAs
7 - Dopants and impurities in GaAs and InP
8 - Brief Overview of GaAs Technology for High Speed Devices
9 - Epitaxial Techniques for GaAs and high speed devices
10 - MBE and LPE for GaAs Epitoxy

11 - GaAs and InP devices for Microelectronics
12 - Metal Semiconductor contacts for MESFET
13 - Metal Semiconductor contacts for MESFET(contd)
14 - Metal Semiconductor contacts for MESFET(Contd)
15 - Ohmic contacts on semiconductors
16 - Fermi level pinning, I V characteristics of Schottky Barrier Diodes
17 - Schottky Barrier Diodes I V characteristics of Non idealities -1
18 - Schottky Barrier Diodes I V characteristics of Non idealities -1
19 - Causes of Non idealities in the Schottky Barrier Diodes (I V characteristics)
20 - MESFET operations and I V characteristics

21 - MESFET I V characteristics Shockley`s Model
22 - MESFET Shockley`s Model and velocity saturation effect
23 - MESFET velocity saturation effect on drain current saturation
24 - MESFET : Drain current saturation Ids due to velocity saturation
25 - MESFET : Effects of channel length and gate length on Ids and Im
26 - MESFET : Effects of velocity saturation and velocity field characteristics
27 - MESFET : Effects of velocity field characteristics - Overshoot effects
28 - MESFET : Velocity overshoot effect and self aligned MESFET SAINT
29 - Self Aligned MESFET SAINT Threshold Voltage and Sub Threshold current
30 - Hetero junctions

31 - Hetero junctions and high electron Mobility Transistor(HEMT)
32 - Hetero junctions and high electron Mobility Transistor(HEMT) (Contd.)
33 - High Electron Mobility Transistor
34 - HEMT off voltage, I-V characteristics and trans conductance
35 - I-V characteristics and trans conductance and optimization
36 - Indium phosphide based HEMT
37 - Pseudomorphic HEMT and Hetrojunction Bipolar Transistors
38 - Hetrojunction Bipolar Transistors (HBT)
39 - Hetrojunction Bipolar Transistors (HBT) (Contd.)
40 - Hetrojunction Bipolar Transistors (HBT) (Contd.)

41 - Hetrojunction Bipolar Transistors(HBT)-4(Contd)
1 -- مقدمه ای بر مفاهیم پایه
2 -- مورد نیاز برای IC های سرعت بالا ، دستگاه ها و مواد
3 -- طبقه بندی و خواص از دستگاه های نیمه هادی
4 -- ترکیب سه تایی نیمه هادی ها و برنامه های کاربردی خود را
5 -- ترکیب سه تایی نیمه هادی ها و برنامه های کاربردی خود را (contd.)
6 -- ساختار کریستالی در GaAs
7 -- Dopants و ناخالصیهای موجود در GAAS و InP
8 -- بررسی اجمالی مختصری از فناوری GAAS برای دستگاه های با سرعت بالا
9 -- Epitaxial تکنیک برای GAAS و دستگاه های سرعت بالا
10 -- MBE و LPE برای GAAS Epitoxy

11 -- GAAS و دستگاه های InP برای ریز الکترونیک
12 -- فلز تماس نیمه هادی برای MESFET
13 -- فلز تماس نیمه هادی برای MESFET (contd)
14 -- فلز تماس نیمه هادی برای MESFET (Contd)
15 -- تماس اهمی بر روی نیمه هادی
16 -- فرمی در سطح دباره سنجاقکردن ، ویژگی IV دیود های شاتکی موانع
17 -- شاتکی دیودهای سد خصوصیات IV idealities غیر -1
18 -- شاتکی دیودهای سد خصوصیات IV idealities غیر -1
19 -- علل غیر idealities در دیودها سد شاتکی (خصوصیات IV)
20 -- عملیات MESFET و خصوصیات IV

21 -- خصوصیات IV MESFET مدل شاکلی
22 -- مدل MESFET شاکلی و سرعت اثر اشباع
23 -- سرعت MESFET اثر اشباع اشباع تخلیه در حال حاضر
24 -- MESFET : اشباع تخلیه جریان شناسه به دلیل اشباع سرعت
25 -- MESFET : اثر طول کانال و طول دروازه بر IDS و IM
26 -- MESFET : اثر اشباع سرعت و سرعت ویژگی های زمینه
27 -- MESFET : اثرات ناشی از ویژگی های زمینه سرعت -- اثرات حد خارج شدن
28 -- MESFET : سرعت اثر اضافه جهش و خود تراز وسط قرار دارد MESFET SAINT
29 -- خود تعهد MESFET SAINT ولتاژ آستانه و زیر آستانه جاری
30 -- گوناگون اتصالات

31 -- اتصالات گوناگون و تحرک الکترون بالا ترانزیستور (HEMT)
32 -- اتصالات گوناگون و تحرک الکترون بالا ترانزیستور (HEMT) (Contd.)
33 -- ترانزیستور تحرک الکترونی بالا
34 -- HEMT کردن ولتاژ ، ویژگی های IV و رسانایی ترانس
35 -- خصوصیات IV و رسانایی ترانس و بهینه سازی
36 -- بر اساس فسفید ایندیم HEMT
37 -- Pseudomorphic HEMT و ترانزیستورهای دوقطبی Hetrojunction
38 -- ترانزیستورهای دوقطبی Hetrojunction (HBT)
39 -- Hetrojunction ترانزیستورهای دوقطبی (HBT) (Contd.)
40 -- Hetrojunction ترانزیستورهای دوقطبی (HBT) (Contd.)

41 -- Hetrojunction ترانزیستورهای دوقطبی (HBT) -4 (Contd)

فروشنده: محصولات آموزشی دقيق

قیمت: 12,000 تومان

درصد :5

روش خرید: برای خرید فیلمهای آموزشی مدارات و وسیله های سرعت بالا، پس از کلیک روی دکمه زیر و تکمیل فرم سفارش، ابتدا محصول یا محصولات مورد نظرتان را درب منزل یا محل کار تحویل بگیرید، سپس وجه کالا و هزینه ارسال را به مامور پست بپردازید. جهت مشاهده فرم خرید، روی دکمه زیر کلیک کنید.